去年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的😎是容量为1Tb的TLC闪存。到了9月，三星宣布启动新款第9代🤯V-NAND闪存的量产工作，属于其首款1Tb的QLC（四层单🚀元）闪存，主要为了迎合企业级SSD市场呈现日益增长的趋势。 😂 据TrendForce报道，多个消息源的信息表明，第9💯代V-NAND QLC闪存存在设计缺陷，导致出现性能问题，三😁星不得不将大规模生产的时间延后，推迟到2026年上半年。对于😀三星陷入困境的存储器业务来说，这又是一个重大打击。 三🚀星的第9代V-NAND技术达到了290层，相比第8代V-NA👍ND闪存的236层有了进一步的提高。随着近期主要云端服务供应😍商增加人工智能（AI）基础设施并转向高性能AI推理，对大容量😅存储的需求不断攀升，三星也希望通过更高存储密度的QLC SS😅D产品来满足市场的需求。虽然三星仍然主导了NAND闪存市场，😴但是在QLC领域却是落后的，旗舰QLC闪存产品仅停留在第7代😡V-NAND技术，层数为176层，而且没有发布第8代V-NA🔥NDQLC闪存产品。 上个月SK海力士宣布已开发出32🎉1层2Tb QLCNAND闪存产品，并开始量产。这是全球范围😜内首个300层以上的QLC NAND闪存，在现有的NAND闪😊存产品中拥有最高的集成度，计划2026年上半年正式进入AI数😀据中心市场。也就是说，三星第9代V-NAND QLC闪存即便😴在明年上半年实现量产，大概率技术方面还是落后于SK海力士。考🌟虑到最近SK海力士在存储器领域的强势，对三星可是相当不利。 ❤️ 今年初，三星展示了即将发布第10代V-NAND闪存，总🤯层数超过了400层，但是至今没有提供具体的量产时间表。返回搜😉狐，查看更多

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赵今麦卷发亮相，搭配碎花吊带裙，少女感十足！